SGT MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有傳統(tǒng)深溝槽MOSFET的低導通損耗的優(yōu)點，同時具有更加低的開關損耗。SGT MOSFET作為開關器件應用于新能源電動車、新型光伏發(fā)電、節(jié)能家電等領域的電機驅(qū)動系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。

SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結構及工藝制造方法，因其不需要在溝槽內(nèi)生長厚的屏蔽電極介質(zhì)層，同時Bsg具有良好的高溫回流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小，因而可以縮小單位元胞尺寸(Pitch Size)，采用更高摻雜濃度的外延片實現(xiàn)同樣的擊穿電壓，降低器件Rsp，增強市場競爭力。


圖1 Trench MOSFET Structure


圖2 SGT MOSFET Structure

SGT技術優(yōu)勢,具體體現(xiàn):
1)米勒電容SGT 工藝明顯比溝槽工藝低很多， 所以開關損耗低。   
2)SGT 比溝槽工藝挖槽深度3-5倍， SGT可以橫向使用更多的硅外延體積來阻止電壓，使得SGT的內(nèi)阻比普通MOSFET低2倍左右。   
3)由于SGT MOSFET具有更深的溝槽深度，因此可以使用更多硅體積來吸收EAS能量。所以SGT可以在雪崩中做同樣或更好。   
4)同等規(guī)格下，芯片面積可以做到更小，性價比更高。

尚陽通采用SGT最新一代工藝，基于多項專利技術推出中低壓MOSFET系列產(chǎn)品。舉例介紹尚陽通最新推出150V SGT MOSFET。
結合150V產(chǎn)品應用領域的不同，尚陽通同時推出兩款Rdson接近的產(chǎn)品：SRT15N050H、SRT15N059H封裝形式有TO-22OC、TO-263。



SRT15N050H、SRT15N059H主要參數(shù)比較


SRT15N050H、SRT15N059H器件開關特性對比
測試條件:Vdc=75V;Rg=20Ω;Vgs=12V;Id=26A


SRT15N050H適合需要低內(nèi)阻,開關速度要求不高的系統(tǒng),類似BMS領域應用; SRT15N059H適合要求開關損耗小,開關速度快的系統(tǒng),類似高頻同步整流(SR)應用。



尚陽通中低壓SGT系列產(chǎn)品，在電機驅(qū)動、電動工具、PD適配器、大功率電源等各個領域已大批量供貨，為國產(chǎn)半導體器件的發(fā)展助力。
附:尚陽通部分SGT MOSFET產(chǎn)品選型表